在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
2月27日，国务院新闻办举行国务院政策例行吹风会，邀请有关部门相关负责同志介绍2025年国务院部门办理全国人大代表建议和全国政协提案工作有关情况。
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Мерц резко сменил риторику во время встречи в Китае09:25